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日本进口KYOCERA京瓷覆铜陶瓷基板

简要描述:日本进口KYOCERA京瓷覆铜陶瓷基板
按氧化铝、氮化铝、DBC 覆铜基板三大主流品类整理,参数为原厂标准值,适配半导体、真空泵、加热器、新能源 IGBT、真空设备等场景。

基础信息

产品型号

AlN‑DBC

厂商性质

经销商

更新时间

2026-07-30

浏览次数

227
详细介绍
品牌KYOCERA/京瓷供货周期现货
应用领域化工,能源,电子/电池,汽车及零部件,电气

日本进口KYOCERA京瓷覆铜陶瓷基板 氧化铝陶瓷基板(Al₂O₃)

1. A‑473(96% 氧化铝,通用爆款)

核心参数:

氧化铝纯度:96%

导热率:20 W/(m・K)

抗弯强度:350 MPa

介电常数:9.5(1MHz)

体积电阻率:>10¹⁴ Ω・cm

颜色:白色

用途:真空泵绝缘环、加热器基板、普通功率模块、工控绝缘件、半导体通用配件。

2. A‑410(99.6% 高纯氧化铝,半导体专用)

核心参数:
纯度:99.6% 高纯度
导热率:24 W/(m・K)
抗弯强度:400 MPa

低杂质、低放气、高洁净用途:半导体真空腔体、等离子设备、晶圆承载、超高真空配件。

二、氮化铝陶瓷基板(AlN,高导热散热主力)

1. A450(AlN170,主流通用)

核心参数:

导热率:170 W/(m·K)

抗弯强度:400 MPa

热膨胀系数:4.5 ppm/K

绝缘耐压:8kV(0.635mm 厚度)

用途:IGBT 功率模块、新能源电控、充电桩、大功率加热器基板、激光设备。

2. A460(**超高导热)

核心参数:
导热率:200 W/(m·K)
抗弯强度:420 MPa

低热阻、超高散热、**精密用途:5G 射频、**功率半导体、航空航天、精密真空散热件。

三、日本进口KYOCERA京瓷覆铜陶瓷基板(直接焊铜,功率器件核心)

1. A‑473‑DBC(氧化铝 DBC,经济型)

基材:A‑473 96% 氧化铝,覆铜厚度 0.3mm/0.5mm用途:家电电源、普通工控模块、低压功率器件

2. AlN‑DBC(A450/A460 基材,**款)

基材:A450/A460 氮化铝,高导热覆铜用途:新能源汽车电控、储能逆变器、光伏逆变器、高压 IGBT

DBC 覆铜基板实拍

四、氧化锆陶瓷基板(ZrO₂,耐磨高强度)

Z201

核心参数:

抗弯强度:1200 MPa

韧性高、耐磨、抗冲击、耐腐蚀

用途:半导体精密定位件、轴套、阀芯、耐磨绝缘结构件

五、型号参数对比总表:

型号材质导热率 (W/m・K)抗弯强度 (MPa)核心用途
A‑47396% 氧化铝20350通用绝缘、真空泵、加热器
A‑41099.6% 高纯氧化铝24400半导体真空、等离子设备
A450氮化铝170400IGBT、新能源、散热基板
A460氮化铝200420**半导体、5G、精密散热
Z201氧化锆31200耐磨、精密结构件









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