BARA荏原干式真空泵-NPM日脉步进电机-爱发科罗茨干泵-玉崎半导体（深圳）有限公司

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现货FPR-PSD-21.6-6.35UGC#C 富士金 FUJIKIN IGS 集成气路金属隔膜阀
新品现货！！富士金FUJIKINFPR-PSD-21.6-6.35UGC#CIGS集成气路金属隔膜阀IGS板载气动隔膜阀，SUS316L双熔材质，EP内抛，禁油，氦检微泄漏，适配半导体特种腐蚀性高纯气体，6.35mm(1/4")，现货可发。IGS全称IntegratedGasSystem，富士金半导体集成气体输送系统专用气动隔膜阀，半导体FAB高纯气路核心阀件型号释义FPR-PSD-21.6-6.35UGC#CFPR：FINEPURE系列金属隔膜阀PSD：IGS集成气路板安装...

2026-10-08
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玉崎半导体亮相 2026 湾芯展！诚邀莅临 9 号馆 9S10 展位
玉崎半导体亮相2026湾区半导体产业生态博览会，诚邀莅临9号馆9S10展位芯向未来，智创生态！2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月14日-16日，在深圳会展中心（福田）盛大启幕。深圳市京都玉崎电子有限公司（玉崎半导体/tamasaki）携全系列半导体gao端设备、零部件方案重磅参展，展位号：9号馆9S10，诚挚邀请行业新老客户莅临展位交流洽谈！本届湾芯展规模盛大，汇聚1000+参展企业，展览面积达70000㎡，预计迎来70000+专业观众，是华南地区半导体产业...

2026-10-08
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玉崎半导体亮相 2026 湾区半导体产业生态博览会
玉崎半导体亮相2026湾区半导体产业生态博览会，诚邀莅临9号馆9S10展位芯向未来，智创生态！2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）将于10月14日-16日，在深圳会展中心（福田）盛大启幕。深圳市京都玉崎电子有限公司（玉崎半导体/tamasaki）携全系列半导体gao端设备、零部件方案重磅参展，展位号：9号馆9S10，诚挚邀请行业新老客户莅临展位交流洽谈！本届湾芯展规模盛大，汇聚1000+参展企业，展览面积达70000㎡，预计迎来70000+专业观众，是华南地区半导体产业...

2026-10-03
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新品现货~~进口NIKKATO 日陶科学 SSA-995 φ30mm 高纯氧化铝陶瓷球
近期我司推出新品进口NIKKATO日陶科学SSA-995φ30mm高纯氧化铝陶瓷球产品特点99.5%高纯α氧化铝，低杂质污染：Al₂O₃≥99.5%，Fe₂O₃≤0.03%、Na₂O≤0.05%；研磨磨损仅析出氧化铝，不会带入铁、重金属杂质；纯度介于普通92铝球与旗舰SSA-999W之间，平衡洁净度与采购成本。大球体高冲击强度，抗破碎：日本原厂高温烧结致密α氧化铝，球形圆整，表面抛光；维氏硬度1500HV10，莫氏9级，抗压3000MPa。φ30mm自重更大，冲击动能强，针对...

2026-09-28
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新品发布！！现货进口NIKKATO 日陶科学 SSA-995 φ3mm 高纯氧化铝陶瓷球
近期我司新推出现货进口NIKKATO日陶科学SSA-995φ3mm高纯氧化铝陶瓷球产品特点99.5%高纯α氧化铝，低杂质污染：Al₂O₃≥99.5%，Fe₂O₃≤0.03%、Na₂O≤0.05%，研磨析出杂质极少，无重金属污染；定位介于普通92铝球与旗舰SSA-999W（99.9%）之间，兼顾纯度与成本。球形度高，耐磨不易崩碎：日本原厂高温烧结α相氧化铝，球体圆整，表面精密抛光；维氏硬度1500HV10，莫氏9级。小球在长时间超细搅拌磨、行星磨工况下不易掉渣碎裂，磨耗稳定，减...

2026-09-28
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新品现货！！日本进口NIKKATO 日陶科学 SSA-995 φ5mm 高纯氧化铝陶瓷球
近期我司新推出日本进口NIKKATO日陶科学SSA-995φ5mm高纯氧化铝陶瓷球产品特点99.5%高纯α氧化铝，低杂质污染：Al₂O₃≥99.5%，Fe₂O₃≤0.03%、Na₂O≤0.05%，研磨析出杂质极少，不会引入重金属，适合粉体洁净管控；定位在普通92/93铝球与SSA-999W超高纯之间，兼顾纯度与成本。高球形度、耐磨低崩损：日本原厂高温烧结，球形规整，表面抛光光滑；维氏硬度1500HV10，莫氏9级，长时间精磨不易碎裂、掉渣，磨耗稳定，减少介质补充频次。耐化学、...

2026-09-28
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新品现货~NIKKATO 日陶科学 SSA-995 φ20mm 高纯氧化铝陶瓷球（50kg）
近期我司新推出日本进口NIKKATO日陶科学SSA-995φ20mm高纯氧化铝陶瓷球（50kg）产品特点高纯度低污染：Al₂O₃≥99.5%，严控Fe₂O₃≤0.03%、Na₂O≤0.05%杂质，研磨过程不会引入重金属杂质，适合对粉体洁净度有要求的制程，在高纯系列里属于性价比优选，介于普通92%铝球与旗舰SSA-999W（99.9%）之间化工仪器网。高硬耐磨，球形度好：维氏硬度1500HV10，莫氏硬度9级；球形精度高、表面抛光光滑，抗冲击、不易崩边碎裂，磨耗低，延长使用寿命...

2026-09-28
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新品现货！！EBARA 荏原 EV-A10 风冷五级罗茨干式真空泵
近期我司推出荏原EV-A10原装全新现货！！大气压段抽气王zhe，洁净无油干泵EV-A10是荏原EV-A系列主力风冷多级罗茨干泵，主打大气压区间超高抽速、稳定耐水汽、长周期连续运行，单相/三相200~240V双供电可选，无需冷却水，是半导体、锂电、镀膜产线粗抽前级主流机型上海荏原精...。核心产品特点强制风冷，免水冷部署：整机空气冷却，不用铺设冷却水管道，仅接电源即可投产；机身尺寸317×544×344mm，重量75kg，标配脚轮+调平底座，无尘车间、实验室、改造产线灵活摆放...

2026-09-24
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REVOX莱宝克斯LED光纤光源的日常维护与光路清洁方案
REVOX莱宝克斯LED光纤光源凭借光线输出稳定、响应快速的特点，广泛应用于机器视觉检测、显微观测、荧光分析等精密光学场景。长期运行后，光路积尘、密封老化、散热不畅等问题，会造成光斑不均、光强衰减，直接影响检测成像质量。建立REVOX莱宝克斯LED光纤光源的日常维护流程，落实规范的光路清洁方案，能够延长光源使用寿命，保障光学输出稳定可靠。一、日常维护要点1、日常点检维护。每次开机前进行外观与状态检查，查看散热通道无遮挡，线缆接头无松动氧化，光纤连接位置无挤压弯折。开机观察光斑...

2026-10-10
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东微半导：高性能功率半导体 Virtual IDM 设计龙头
公司简介苏州东微半导体股份有限公司（东微半导，688261），2008年成立，2022年登陆科创板，国内高性能功率半导体技术驱动型企业，创新采用VirtualIDM模式，深度联合上游晶圆厂协同开发器件工艺，专注功率器件与数字电源控制芯片研发、定义与销售，晶圆制造、封装测试交由合作代工厂完成苏州东微半...。公司核心产品矩阵：GreenMOS超级结MOSFET、SFGMOS/FSMOS屏蔽栅MOSFET、TGBT自主结构IGBT、SuperSi2C/SiCMOSFET、高密度功...

2026-10-09
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斯达半导：国内 IGBT 功率模块 IDM 龙头
公司简介斯达半导体股份有限公司（斯达半导，603290），2005年成立，总部浙江嘉兴，2020年上交所主板上市，是国内功率模块IDMbiao杆企业，采用芯片Fabless自研+自有模块封装产线的混合模式，专注IGBT、SiCMOSFET功率芯片与功率模块的研发、制造与销售，在欧洲瑞士、德国设立研发中心，国内布局嘉兴、重庆等多处生产基地，全球IGBT模块市场位列前五，是国内车规IGBT模块核心供应商.。核心产品矩阵：IGBT模块、SiCMOSFET模块、快恢复二极管模块、Ga...

2026-10-09
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半导体真空配件（阀门、密封、过滤器）选型与应用
一、真空阀门（控制气流/隔离腔室）1.插板阀（主隔离，刻蚀/沉积机台）类型：高真空金属密封（CF接口），气动/电动驱动。材质：阀体316LEP，阀板/密封面无氧铜/不锈钢；耐烘烤150℃。要求：低颗粒、低放气、快响应（≤1s）；漏率≤1×10⁻¹⁰Pa・m³/s。2.角阀/挡板阀（粗抽/排气路）类型：波纹管密封，金属/氟橡胶密封面。材质：316L，波纹管不锈钢/镍合金（抗疲劳、长寿命）。应用：隔离泵与腔室，防止返流；耐高温、低泄漏。3.隔膜阀（高纯气路/药液）类型：PTFE/...

2026-10-09
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半导体干式真空泵结构原理、选型与维护
干式真空泵结构与工作原理1.核心结构（螺杆式为主流）阴阳转子：一对精密啮合螺杆（材质：不锈钢/镀硬铬/特种涂层），微米级间隙、非接触运转。泵腔/壳体：整体铸造、水冷夹套，控制热变形与温度漂移。轴承/齿轮箱：高精度轴承+同步齿轮，保证转子间隙稳定；多为终身润滑，减少维护点。入口/出口：配粗滤/粉尘过滤器，防止制程颗粒进入泵腔。2.工作原理（容积式、无油压缩）关键优势：全程无油，杜绝碳氢污染，满足半导体超洁净要求。三、半导体制程选型（按工艺严苛度）1.清洁工艺（量测、光刻、Loa...

2026-10-09
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半导体制造，耗材才是设备稳定运行的关键
半导体制造：耗材，才是设备稳定运行的核心命脉半导体设备价值高昂、结构精密，但决定机台稼动率、良率、故障率、停机时长的，从来不是主机本体，而是不起眼的各类耗材。Fab厂80%以上的非计划性停机、晶圆污染、参数漂移、腔体异常，根源都来自耗材老化、选型错误、纯度不达标、更换不及时。一、为什么耗材比设备本体更影响稳定性？耗材直接接触晶圆与工艺气体/药液O型圈、滤芯、PPS/PEEK零件、密封件、真空泵油、脱气膜、加热器、静电消除配件，直接暴露在等离子、强酸强碱、高温、真空环境，是工艺...

2026-10-09
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晶盛机电：半导体硅片与第三代半导体衬底装备龙头
公司简介浙江晶盛机电股份有限公司（JSG，300316），2006年创立，总部浙江绍兴，2012年深交所上市，是国内xian进材料+先进装备双轮驱动的龙头高新技术企业，也是全球少数可提供8/12英寸大硅片全流程制造装备的厂商晶盛机电。公司核心业务覆盖半导体晶体生长设备、硅片加工设备、碳化硅/蓝宝石晶体装备，同时布局碳化硅衬底、石英坩埚、金刚线等半导体核心耗材。产品线横跨集成电路大硅片、第三代半导体SiC、光伏硅晶三大赛道。核心产品矩阵：半导体单晶炉：12英寸、8英寸半导体直拉...

2026-10-08
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铜冠铜箔——AI 服务器、高速通信、半导体 PCB / 载板上游关键材料供应商
铜冠铜箔（安徽铜冠铜箔集团股份有限公司，301217.SZ）公司简介铜冠铜箔隶属于铜陵有色集团，国内头部高精度电子铜箔专业制造商，主营PCB电子电路铜箔、锂电池负极集流体铜箔两大核心产品，是AI服务器、高速通信、半导体PCB/载板上游关键材料供应商深圳证券交...。公司具备完整电解铜箔研发、生箔、表面处理、检测量产能力，主力产品包含HTE高温高延伸铜箔、RTF反转铜箔、HVLP极低轮廓铜箔（1~4代已量产，5代在研）；HVLPgao端铜箔专门面向AI服务器、高速背板、800G...

2026-10-08
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case

应用案例

2026
8-1
注册资本40亿元长电科技子公司成立
长润芯微系统(上海)有限公司近日成立，法定代表人为郑力，注册资本40亿元，经营范围含集成电路销售、集成电路芯片及产品销售、集成电路芯片设计及服务、电力电子元器件销售等。近日，天眼查App显示，长润芯微系统(上海)有限公司近日成立，法定代表人为郑力，注册资本40亿元，经营范围含集成电路销售、集成电路芯片及产品销售、集成电路芯片设计及服务、电力电子元器件销售等。股东信息显示，该公司由长电科技管理有限公司全资持股。长电科技于6月24日召开会议，审议通过拟通过投资设立控股子公司，在上海临港“东方芯港”万
2026
8-1
长鑫科技正式上市
7月27日，长鑫科技正式在科创板上市交易，开盘价格为49.50元/股，首日收盘大涨465.82%，收盘总市值3.277万亿。7月27日，长鑫科技正式在科创板上市交易，开盘价格为49.50元/股，首日收盘大涨465.82%，收盘总市值3.277万亿。招股书显示，长鑫科技是我国规模zui大、技术zui xian进、布局zui全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品，包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPD
2026
8-1
SK海力士计划下半年量产LPDDR6
SK海力士已于2026年3月完成LPDDR6产品的开发，目前正在推进量产准备工作。据韩媒报道，消息称SK海力士计划于2026年下半年量产出货新一代低功耗移动DRAM产品LPDDR6，并将shuai先供货给小米应用于智能手机产品。SK海力士已于2026年3月完成LPDDR6产品的开发，目前正在推进量产准备工作。据了解，LPDDR6采用10nm级（1c）工艺制造，相比上一代产品在数据处理速度和功耗控制方面有所提升。
2026
8-1
通富微电在深圳成立微电子公司
近日，通富微电（深圳）微电子有限公司成立，法定代表人为石磊，注册资本10亿人民币，经营范围含集成电路设计、集成电路制造、集成电路销售、半导体器件专用设备销售、半导体器件专用设备制造、技术进出口、货物进出口等。股东信息显示，该公司由通富微电子股份有限公司全资持股。
2026
8-1
上海精测第100台电子束量检测设备出货
目前，公司产品已全面覆盖电子束晶圆缺陷检测和复查、关键尺寸量测、聚焦离子束分析、智能缺陷分类等芯片前道制造核心应用场景，wan美适配逻辑、存储、功率半导体等多品类芯片制程需求。7月27日，上海精测半导体技术有限公司第100台电子束量检测设备出货。长期以来，gao端电子束量检测设备作为半导体前道制造的核心关键装备，核心技术、市场fen额长期被海外ju头垄断。精测电子团队聚焦高解析度电子光学系统设计制造、智能量检测和分类算法、高速高精密系统控制等一系列核心难题，历经数年技术攻关、反复打磨迭代，成功突
2026
8-1
凯盛科技拟投建TGV先进封装玻璃中试线
凯盛科技拟建设TGV先进封装玻璃中试线，计划总投资约1.5亿元。7月28日，凯盛科技（以下简称“公司”）发布第九届董事会第九次会议决议公告，公司拟建设TGV先进封装玻璃中试线，计划总投资约1.5亿元。公告中提到，公司自2024年启动相关技术研发，拟在蚌埠市高新区超薄柔性电子玻璃（UTG）二期项目厂区内建设中试线，开展关键工艺优化研发等工作，推进产品试制、客户验证等相关工作。
2026
8-1
总投资约52亿元生益科技松山湖第二工厂项目正式动工
项目选址于松山湖东部工业园东平大道与江南大道交会处东南侧，计划用地约298亩，投资总额约52亿元，一期产线预计2027年9月投产。7月28日，总投资约52亿元的生益科技松山湖第二工厂项目正式动工。项目聚焦AI服务器高频高速材料、智能汽车电子基材、gao端封装基板材料等前沿领域，为AI、云计算、6G通信、智能汽车电子等全球新一代信息技术产业提供关键材料支撑。据了解，项目选址于松山湖东部工业园东平大道与江南大道交会处东南侧，计划用地约298亩，投资总额约52亿元，一期产线预计2027年9月投产。项目
2026
8-1
总投资200亿元士兰集华项目最新进展披露
士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目建设最新进展披露：南地块桩机工程已全部完工，地下室底板、筏板基础施工同步铺开。近日，士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目建设最新进展披露：南地块桩机工程已全部完工，地下室底板、筏板基础施工同步铺开。据相关工作人员介绍，项目整体进度有望较原计划提前三个月实现节点目标。公开资料显示，士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目总投资200亿元，采用半导体设计与制造一体化（IDM）模式运营，核心技术与生产工艺具备wan全自主知识产权。项目计划分两期建设，一期投资
2026
8-1
高通HBC Gen 1已完成流片
据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。高通CEO表示，HBC Gen 1已完成流片，定制芯片已进入晶圆生产阶段。据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。高通还表示，其ASIC芯片定制业务从两家全球超大规模企业获得的两个项目已启动晶圆生产，预计将从2026年12月季度开始创造收入。
2026
8-1
英伟达GB300在台积电美国Fab 21完成生产
目前在亚利桑那州完成的仅是晶圆制造阶段，由于在美国尚未建立CoWoS先进封装产能，这批晶圆需运送回中国台湾地区，由台积电完成CoWoS封装制作。据《工商时报》报道，英伟达shou批采用Blackwell架构的GB300 AI GPU，近日已在台积电位于美国亚利桑那州的Fab 21晶圆厂完成下线生产，采用4nm制程制造。这是shou批在美国本土量产的GB300 AI芯片。不过，业界指出，目前在亚利桑那州完成的仅是晶圆制造阶段，由于在美国尚未建立CoWoS先进封装产能，这批晶圆需运送回中国台湾地区，
2026
8-1
2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
AI需求推动全球硅晶圆出货量增长，工业和汽车市场显现复苏迹象美国加州时间2026年7月29日，SEMI旗下Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅片行业季度分析报告显示，2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。SEMI SMG主席、胜高株式会社（SUMCO）销售与市场部总经理矢田银次（Ginji Yada）表
2026
8-1
三星电子美国首座晶圆厂预计年内投入运营
三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂建设按计划推进，预计2026年投入运营，厂区投产之后，将逐步扩产2nm工艺芯片。三星电子周四表示，位于美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂建设按计划推进，预计2026年投入运营，厂区投产之后，将逐步扩产2nm工艺芯片。三星电子补充表示，将于今年年底在美国得克萨斯州泰勒厂区启动第二座半导体晶圆厂（Taylor Fab 2）的建设工作，目标在2030年实现投产。在全球AI芯片供应紧张的情况下，三星电子已与quan球前五大数据中心企业签订至少五年