BARA荏原干式真空泵-NPM日脉步进电机-爱发科罗茨干泵-玉崎半导体（深圳）有限公司

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深圳仓现货！！ORAY 东丽 LC-450A 氧化锆微量氧分析仪
现推出新品深圳仓现货~~TORAY东丽LC-450A是洁净工况专用氧化锆式微量氧分析仪，主打高纯惰性气体、洁净工艺腔体微量残氧监测，测量下限低至0.1ppm，和RF-400-01形成工况互补（RF-400-01适合带油烟、粉尘脏气；LC-450A适合洁净气源），广泛配套半导体、锂电、MLCC、手套箱等精密产线。我司深圳仓常备现货，可快速出库，配套原厂资料、校准服务、上机技术支持。产品核心特点超宽量程，自动切换，最di0.1ppm微量检测搭载东丽自研小型氧化锆浓差电池传感器，量...

2026-10-22
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TORAY 东丽 RF-400-01 氧化锆微量氧分析仪｜深圳仓现货
现推出新品现货，深圳仓直发！！TORAY东丽工程RF-400-01是行业经典泵吸式氧化锆氧分析仪，专为电子、半导体、热处理含油烟、有机挥发物的复杂工艺气氛开发，内置取样泵，耐污染、维护便捷，支持面板嵌入安装与台式摆放两种方式，是SMT回流焊、惰性气氛烧结、高纯气体管路残氧监测主流机型，我司深圳仓常备现货，可快速出库，配套技术对接、上机调试、校准指导服务。产品核心特点氧化锆浓差电池原理，宽量程自动切换搭载东丽自研紧凑型氧化锆传感器，量程自动切换，从ppm微量氧到百分比浓度全覆盖...

2026-10-22
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坂本 SAKAMOTO（SEM）SELN-121BM 无线双轴精密数字水平仪｜深圳仓现货
现推出新品现货，深圳仓直发！！坂本电机SAKAMOTOSELN-121BM为无线分体式双轴精密数字水平仪（日版920MHz），是SELN-001B有线款的无线升级型号，摆脱信号线束缚，单人即可完成狭小腔体、机械臂、高位载台的调平作业，是半导体、光学、精密装备行业备受青睐的微米级倾角校准仪器，我司深圳仓常备现货，可快速出库，配套技术对接、上机调试服务。产品核心特点无线分体设计，作业灵活无牵绊传感器与显示主机无线分离，无线传输距离可达10米，测点放置在腔体内部、机械手、载台等受限...

2026-10-22
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SEM坂本 SELN-001B 双轴精密数字水平仪｜深圳仓现货直发
现推出新品深圳仓现货！！坂本电机SAKAMOTO作为日本老牌精密测量仪器厂商，其SELN-001B是行业认可度ji高的分体有线式双轴精密数字水平仪，主打超高精度倾角、水平同步检测，是半导体、光学、精密机床领域设备调平的仪器。我司深圳仓常备现货，可快速交付，支持现场调试、技术对接与选型配套服务。产品核心特点双轴同步测量，精度等级高X/Y两轴同步采集倾角数据，角度精度可达±0.001°（约17.5μm/m），分辨率最高0.0001°，零点重复性优异，规避传统气泡水平...

2026-10-22
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深圳仓现货！！MTL MDH-4006-20B 日本原装微型中空 DD 直驱电机
新推出新品现货：日本MTL（MicrotechLaboratory）MDH-4006-20B，μDD系列微型中空直驱马达，深圳仓现货直发，原装正品，无需海外长交期，半导体θ轴、光学精密对位优选型号。产品亮点零背隙直驱无铁芯结构：取消齿轮/谐波减速器，电机直接驱动负载，无回程间隙，齿槽转矩极低，低速旋转平稳，长期定位精度稳定，减少机构维护。φ6mm贯通中空孔：轴心通孔可穿过真空管路、同轴光源、信号线，省去滑环，简化整机机械布局，避免管线缠绕干涉。20bit绝对值编码器（BiSS...

2026-10-20
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深圳仓现货，日本原装微型中空MTL MDH-4006 DD 直驱电机
新推出新品现货日本MTL（MicrotechLaboratory）MDH-4006微型中空直驱电机，深圳仓现货直发，原装正品，可快速出货，无需漫长海外交期，适配半导体、光学、3C精密设备θ轴对位需求。产品亮点零背隙直驱结构：无齿轮/谐波减速器，消除传动间隙，长期运行定位精度稳定，减少后期维护成本φ6mm中空贯通孔：中心通孔可穿过真空管路、线缆、光学光路，避免管线缠绕，省去滑环，简化整机机构设计内置20bit绝对值编码器，高分辨率，断电保存位置，上电无需回原点，有效提升设备节拍...

2026-10-20
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EYE岩崎金属卤素灯选型要点、功率与光谱参数解读
EYE岩崎金属卤素灯属于高强度气体放电光源，具备光输出强度高、光照稳定的特点，广泛用于紫外固化、材料老化测试、光学曝光、光化学反应等场景。光源选型是否合理，直接影响工艺效果与样品测试的重复性。掌握EYE岩崎金属卤素灯的选型逻辑，读懂功率、光谱相关参数含义，是匹配工艺需求、避免光源选型不当的关键。一、核心选型要点1、匹配工艺应用场景。不同用途对光源特性的要求差异较大。固化工艺重点关注有效波段的光能量输出；老化耐候试验需要光源光谱模拟特定光照环境；光学曝光场景则对光谱稳定性、光斑...

2026-10-19
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FUJIKIN富士金隔膜阀维护保养与隔膜片更换方案
FUJIKIN富士金隔膜阀广泛应用于高纯流体、真空、洁净工艺管路系统，依靠隔膜片实现介质通断与密封，是半导体、制药、精密分析管路中的关键控制元件。属于易损耗件，长期工作会出现老化、形变、疲劳破损，引发内漏或外漏。建立维护保养流程，规范隔膜片更换操作，能够保障阀门密封可靠，延长阀体使用寿命，维持管路系统稳定运行。一、日常维护保养要点1、日常巡检检查。定期目视检查FUJIKIN富士金隔膜阀的阀体外观，查看阀体接口处有无介质渗漏、管路连接松动现象，观察阀门驱动部件动作状态，确认开关...

2026-10-16
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金海通：半导体封测测试分选机国产龙头
公司简介天津金海通半导体设备股份有限公司（JHT，603061），2012年创立，总部天津，2023年上交所主板上市，国家ji专精特新小巨人企业，国内平移式IC测试分选机龙头厂商。公司专注集成电路测试分选机（TestHandler）研发、制造与销售，以高速精密运动+多工位并行测试+三温精密温控为核心技术，产品对标海外头部分选设备厂商，是封测环节测试设备国产替代标gan企业。公司核心业务为半导体平移式测试分选机、系统级SLT分选机、工程验证分选机，可完成芯片上下料、视觉定位、高...

2026-10-23
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中微公司：半导体前道刻蚀与薄膜沉积设备龙头
公司简介中微半导体设备（上海）股份有限公司（AMEC，688012），2004年创立，总部上海，2019年科创板上市，国内半导体前道核心工艺装备龙头qi业，全球少数掌握先进制程等离子体刻蚀技术的厂商。公司专注集成电路微观加工gao端装备研发制造，核心技术覆盖等离子体刻蚀、MOCVD金属有机化学气相沉积、薄膜沉积设备，产品应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、第三代半导体、MiniLED等领域，刻蚀设备工艺能力可覆盖3纳米及更先进制程，是国内前道晶圆制造装备国产替代标gan。公司...

2026-10-23
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银河微电：车规级半导体分立器件 IDM 龙头
公司简介常州银河世纪微电子股份有限公司（银河微电，688689），1983年创立，总部江苏常州，2021年科创板上市，国家ji专精特新小巨人、国家ji高新技术企业，国内具备芯片设计-晶圆制造-封装测试全流程IDM一体化能力的分立器件龙头，也是国内shou家AEC国际汽车电子协会会员分立器件厂商。公司深耕半导体分立器件四十余年，产品覆盖小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC，同步布局SiC/GaN第三代半导体功率器件，业务聚焦汽车电子、新能源储能、工业控制、通信电源、消费...

2026-10-23
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京仪装备：半导体配套装备龙头，晶圆产线温控、传片、尾气处理核心厂商
公司简介北京京仪自动化装备技术股份有限公司（688652），2016年设立，总部位于北京亦庄，2023年科创板上市，实控人为北京市国资委，国内半导体配套设备细分赛道龙头，国家ji专精特新企业，是国内率xian实现半导体专用温控设备大规模量产装机的国产厂商。依托京仪集团装备产业积淀，聚焦半导体前道配套装备研发制造，布局北京、安徽研发生产基地，核心产品覆盖温控、晶圆传输、工艺尾气处理、干式真空泵四大方向，配套刻蚀、薄膜沉积、离子注入、扩散、CMP等核心工艺设备，服务集成电路、化合...

2026-10-23
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外置独立型计数器日常运维规范
外置独立型计数器日常运维规范这套规范覆盖电子型、机械型、精密测量类外置独立计数器的通用运维要求，可保障计数精度稳定，大幅延长设备使用寿命。基础安全与环境适配要求设备供电电压需控制在额定值的‌85%~110%‌区间，直流供电纹波系数≤5%，电源极性严禁接反，避免烧毁内部电路。安装位置避开强振动、强电磁干扰区域，禁止与电机、电磁铁等感性负载共用同一根电源线，防止信号干扰引发计数跳变。工作环境温度严格控制在‌0℃~50℃‌，避免阳光直射、雨雪侵袭、油液泼溅，高湿高腐蚀场景需加装防护...

2026-10-21
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杰普特：半导体精密激光装备与激光器龙头
公司简介深圳市杰普特光电股份有限公司（JPT，688025），2006年创立，总部深圳，科创板上市，国家ji高新技术企业，国内商用脉宽可调MOPA脉冲光纤激光器shou创厂商，国家ji制造业单项冠jun产品企业。公司坚持“激光+”战略，以激光器、激光智能装备、光纤器件为主营业务，构建激光光源+光学系统+精密运动+视觉检测一体化平台，产品线横跨半导体微加工、第三代半导体、消费电子、新能源锂电、光伏光通信五大赛道。公司自研MOPA脉冲光纤激光器、连续光纤激光器、紫外/绿光固体激光...

2026-10-20
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阿石创：PVD 溅射靶材龙头，半导体显示薄膜核心材料厂商
公司简介福建阿石创新材料股份有限公司（300706），2002年创立，总部福建福州，2017年深交所上市，国家ji专精特新小巨人、国家制造业单项冠jun企业，国内PVD镀膜材料龙头，深耕物理气相沉积薄膜材料二十余年。公司拥有福建、江苏等多处生产基地，自主研发超200款gao端镀膜材料，构建溅射靶材+蒸镀材料+镀膜配件全品类PVD材料体系，业务覆盖新型显示、半导体集成电路、光学光通信、光伏新能源四大赛道，其中显示用钼靶材全球市占率领xian。公司核心业务为各类高纯金属/合金溅射...

2026-10-20
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日本 MTL 原装 DD 直驱电机（μDD 微型中空直驱马达）技术解析
品牌与产品概述日本MTL（MicrotechLaboratory）依托多年高精度光栅编码器技术积累，自主研发μDD微型直驱电机，是小型中空DD马达领域代表性品牌。区别于传统伺服+减速机方案，MTLμDD将无铁芯电机本体、高分辨率绝对值编码器、交叉滚子轴承一体化集成，转子直接驱动负载，无齿轮、无谐波减速器，实现零背隙精密旋转控制，广泛用于半导体、光学检测、精密自动化、机器人末端关节等高要求场景。MDH系列是MTL主力中空贯通型DD马达，包含MDH-30、MDH-40、MDH-6...

2026-10-20
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case

应用案例

2026
8-1
注册资本40亿元长电科技子公司成立
长润芯微系统(上海)有限公司近日成立，法定代表人为郑力，注册资本40亿元，经营范围含集成电路销售、集成电路芯片及产品销售、集成电路芯片设计及服务、电力电子元器件销售等。近日，天眼查App显示，长润芯微系统(上海)有限公司近日成立，法定代表人为郑力，注册资本40亿元，经营范围含集成电路销售、集成电路芯片及产品销售、集成电路芯片设计及服务、电力电子元器件销售等。股东信息显示，该公司由长电科技管理有限公司全资持股。长电科技于6月24日召开会议，审议通过拟通过投资设立控股子公司，在上海临港“东方芯港”万
2026
8-1
长鑫科技正式上市
7月27日，长鑫科技正式在科创板上市交易，开盘价格为49.50元/股，首日收盘大涨465.82%，收盘总市值3.277万亿。7月27日，长鑫科技正式在科创板上市交易，开盘价格为49.50元/股，首日收盘大涨465.82%，收盘总市值3.277万亿。招股书显示，长鑫科技是我国规模zui大、技术zui xian进、布局zui全的DRAM研发设计制造一体化企业。公司产品覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，并且各系列均能提供当前市场主流的第四代、第五代产品，包括DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPD
2026
8-1
SK海力士计划下半年量产LPDDR6
SK海力士已于2026年3月完成LPDDR6产品的开发，目前正在推进量产准备工作。据韩媒报道，消息称SK海力士计划于2026年下半年量产出货新一代低功耗移动DRAM产品LPDDR6，并将shuai先供货给小米应用于智能手机产品。SK海力士已于2026年3月完成LPDDR6产品的开发，目前正在推进量产准备工作。据了解，LPDDR6采用10nm级（1c）工艺制造，相比上一代产品在数据处理速度和功耗控制方面有所提升。
2026
8-1
通富微电在深圳成立微电子公司
近日，通富微电（深圳）微电子有限公司成立，法定代表人为石磊，注册资本10亿人民币，经营范围含集成电路设计、集成电路制造、集成电路销售、半导体器件专用设备销售、半导体器件专用设备制造、技术进出口、货物进出口等。股东信息显示，该公司由通富微电子股份有限公司全资持股。
2026
8-1
上海精测第100台电子束量检测设备出货
目前，公司产品已全面覆盖电子束晶圆缺陷检测和复查、关键尺寸量测、聚焦离子束分析、智能缺陷分类等芯片前道制造核心应用场景，wan美适配逻辑、存储、功率半导体等多品类芯片制程需求。7月27日，上海精测半导体技术有限公司第100台电子束量检测设备出货。长期以来，gao端电子束量检测设备作为半导体前道制造的核心关键装备，核心技术、市场fen额长期被海外ju头垄断。精测电子团队聚焦高解析度电子光学系统设计制造、智能量检测和分类算法、高速高精密系统控制等一系列核心难题，历经数年技术攻关、反复打磨迭代，成功突
2026
8-1
凯盛科技拟投建TGV先进封装玻璃中试线
凯盛科技拟建设TGV先进封装玻璃中试线，计划总投资约1.5亿元。7月28日，凯盛科技（以下简称“公司”）发布第九届董事会第九次会议决议公告，公司拟建设TGV先进封装玻璃中试线，计划总投资约1.5亿元。公告中提到，公司自2024年启动相关技术研发，拟在蚌埠市高新区超薄柔性电子玻璃（UTG）二期项目厂区内建设中试线，开展关键工艺优化研发等工作，推进产品试制、客户验证等相关工作。
2026
8-1
总投资约52亿元生益科技松山湖第二工厂项目正式动工
项目选址于松山湖东部工业园东平大道与江南大道交会处东南侧，计划用地约298亩，投资总额约52亿元，一期产线预计2027年9月投产。7月28日，总投资约52亿元的生益科技松山湖第二工厂项目正式动工。项目聚焦AI服务器高频高速材料、智能汽车电子基材、gao端封装基板材料等前沿领域，为AI、云计算、6G通信、智能汽车电子等全球新一代信息技术产业提供关键材料支撑。据了解，项目选址于松山湖东部工业园东平大道与江南大道交会处东南侧，计划用地约298亩，投资总额约52亿元，一期产线预计2027年9月投产。项目
2026
8-1
总投资200亿元士兰集华项目最新进展披露
士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目建设最新进展披露：南地块桩机工程已全部完工，地下室底板、筏板基础施工同步铺开。近日，士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目建设最新进展披露：南地块桩机工程已全部完工，地下室底板、筏板基础施工同步铺开。据相关工作人员介绍，项目整体进度有望较原计划提前三个月实现节点目标。公开资料显示，士兰集华12英寸gao端模拟集成电路项目总投资200亿元，采用半导体设计与制造一体化（IDM）模式运营，核心技术与生产工艺具备wan全自主知识产权。项目计划分两期建设，一期投资
2026
8-1
高通HBC Gen 1已完成流片
据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。高通CEO表示，HBC Gen 1已完成流片，定制芯片已进入晶圆生产阶段。据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。高通还表示，其ASIC芯片定制业务从两家全球超大规模企业获得的两个项目已启动晶圆生产，预计将从2026年12月季度开始创造收入。
2026
8-1
英伟达GB300在台积电美国Fab 21完成生产
目前在亚利桑那州完成的仅是晶圆制造阶段，由于在美国尚未建立CoWoS先进封装产能，这批晶圆需运送回中国台湾地区，由台积电完成CoWoS封装制作。据《工商时报》报道，英伟达shou批采用Blackwell架构的GB300 AI GPU，近日已在台积电位于美国亚利桑那州的Fab 21晶圆厂完成下线生产，采用4nm制程制造。这是shou批在美国本土量产的GB300 AI芯片。不过，业界指出，目前在亚利桑那州完成的仅是晶圆制造阶段，由于在美国尚未建立CoWoS先进封装产能，这批晶圆需运送回中国台湾地区，
2026
8-1
2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%
AI需求推动全球硅晶圆出货量增长，工业和汽车市场显现复苏迹象美国加州时间2026年7月29日，SEMI旗下Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅片行业季度分析报告显示，2026年第二季度全球硅晶圆出货量同比增长7.4%，达到3573百万平方英寸（MSI），2025年同期为3327百万平方英寸。出货量较2026年第一季度记录的3275百万平方英寸环比增长9.1%。SEMI SMG主席、胜高株式会社（SUMCO）销售与市场部总经理矢田银次（Ginji Yada）表
2026
8-1
三星电子美国首座晶圆厂预计年内投入运营
三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂建设按计划推进，预计2026年投入运营，厂区投产之后，将逐步扩产2nm工艺芯片。三星电子周四表示，位于美国得克萨斯州泰勒市生产基地的首座晶圆厂建设按计划推进，预计2026年投入运营，厂区投产之后，将逐步扩产2nm工艺芯片。三星电子补充表示，将于今年年底在美国得克萨斯州泰勒厂区启动第二座半导体晶圆厂（Taylor Fab 2）的建设工作，目标在2030年实现投产。在全球AI芯片供应紧张的情况下，三星电子已与quan球前五大数据中心企业签订至少五年