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| 品牌 | IKC/入江工研 | 种类 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 压力环境 | 其他 | 工作温度 | 真空 |
| 流动方向 | 其他 | 零部件及配件 | 其他 |
| 类型(通道位置) | 其他 | 3C阀门类别 | 工业 |
| 应用领域 | 能源,电子/电池,电气,半导体,机械设备 |
IKC入江工研 半导体超高真空专用矩形闸阀
IKC入江工研 半导体超高真空专用矩形闸阀
无滑动洁净密封:KOSLARZE 方闸阀无摩擦启闭,几乎无颗粒物产生,适配晶圆精密制程;
自研金属波纹管:316L 焊接波纹管,耐烘烤、耐腐蚀,寿命普遍 100 万次以上;
压差抵消机构(GARIVA 系列):大口径阀门抵消大气压差,降低驱动负载、阀门不易形变;
超低泄漏:阀体基础漏率≤1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s,阀板漏率≤5×10⁻¹⁰ Pa・m³/s;
全法兰兼容:KF/NW、CF 超高真空、JIS 国标法兰通用,气动 / 电动 / 手动多驱动可选。
基础参数
漏率:本体 1×10⁻¹⁰ Pa・m³/s;阀板 5×10⁻¹⁰ Pa・m³/s
耐烘烤:阀体最高 120℃,气动执行器≤60℃
启闭速度:1~3s,标准寿命100 万次
驱动:标准气动,可加装电磁阀、位置接近开关、电动伺服
开口规格:长条矩形,小口径 100×200mm~ 超大面板 1500mm 以上定制
细分型号
单面密封:常规腔体隔断、真空泵隔离,维护简单,O 圈单侧可快速更换;
双面密封:超高真空腔体、频繁高低压切换场景,密封冗余更强。
应用场景
芯片、化合物半导体、第三代半导体设备腔体隔离;
OLED、LCD 液晶面板第 4~8 代生产线传输阀;
精密光学镀膜、离子注入设备。
泄漏指标:阀体本体漏率≤\(1×10^\ \text^3/\text\),阀板密封漏率≤\(5×10^\ \text^3/\text\);
启闭速度:1~3s 快速开关,标准机械寿命100 万次,洁净强化版 150 万次;
耐烘烤:阀体最高 120℃,气动执行器常规≤60℃,水冷版本最高 200℃;
主流驱动:标准气动气缸,可选电动伺服、手动,标配接近开关位置反馈,可加装电磁阀、4~20mA 开度信号、PLC 通讯;
密封材质:标配 Kalrez 全氟醚 O 圈(半导体强腐蚀气体专用),可选 FKM 氟橡胶、无氧铜金属密封。
Ⅰ 代:早期基础款,多用于老款 6 寸及以下设备;
Ⅱ 代:主流量产款,轻量化、洁净度升级,8/12 寸晶圆通用;
Compact Ⅱ:迷你紧凑型,狭小设备腔体内置安装;
S 后缀:单面单向密封;D 后缀:双面双向密封;
W 后缀:水冷耐高温烘烤款;E 后缀:电动伺服驱动。
Ⅰ-S(单面密封)
特点:结构简单、O 圈更换便捷、造价低、维护成本低;仅单向承压密封,耐受单向 0.1MPa 压差;
适用场景:老旧 6 寸晶圆设备、普通真空腔体隔断、真空泵隔离阀、实验室镀膜设备。
Ⅰ-D(双面密封)
特点:双向密封,可承受双向压差,密封冗余更高;结构略复杂,价格高于单面款;
适用场景:频繁高低压切换腔体、早期离子注入设备。
| 型号命名 | 通口尺寸 | 密封类型 | 阀体基础尺寸 |
|---|---|---|---|
| KS-Ⅰ-5.125 | 5.125 英寸 | S 单面 / D 双面 | 130×130mm |
| KS-Ⅰ-6 | 6 英寸 | S 单面 / D 双面 | 152×152mm |
| KS-Ⅰ-8 | 8 英寸 | S 单面 / D 双面 | 203×203mm |
| KS-Ⅰ-12 | 12 英寸 | S 单面 / D 双面 | 305×305mm |
| 型号 | 通口 | 密封 | 常用工况 |
|---|---|---|---|
| KS-Ⅱ-5.125 | 5.125" | S/D | 小型 Loadlock、离子注入机小隔断 |
| KS-Ⅱ-6 | 6" | S/D | 6 英寸晶圆设备、半导体检测设备 |
| KS-Ⅱ-8 | 8" | S/D | 8 英寸刻蚀、CVD、PVD 量产机台 |
| KS-Ⅱ-12 | 12" | S/D | 12 英寸优良制程(7nm~28nm)传输腔 |
LCD/OLED 第 6~8 代液晶玻璃基板传输门阀;
大面积光伏面板、卷轴式连续镀膜生产线;
航天真空舱、大型科研加速器、工业真空热处理炉。