高通HBC Gen 1已完成流片

据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。

高通CEO表示，HBC Gen 1已完成流片，定制芯片已进入晶圆生产阶段。据了解，HBC堆栈底部是近内存加速器单元，其上则是TSV技术堆叠LPDDR DRAM Die。

高通还表示，其ASIC芯片定制业务从两家全球超大规模企业获得的两个项目已启动晶圆生产，预计将从2026年12月季度开始创造收入。