拓荆科技：国产薄膜沉积核心装备及腔体工况

公司简介

拓荆科技股份有限公司（688072.SH），2010 年成立，总部沈阳，科创板上市企业，国内半导体薄膜沉积设备龙头，是国内少数实现 PECVD 规模化量产的设备厂商，薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机并称芯片制造三大核心主设备。核心产品线：PECVD 等离子增强化学气相沉积、ALD 原子层沉积、SACVD 次常压化学气相沉积、HDPCVD 高密度等离子 CVD、Flowable CVD 沟槽填充设备；新增三维集成晶圆混合键合设备（W2W/D2W）及配套量测设备拓荆科技股...。设备用于 12 英寸 / 8 英寸晶圆制造、存储芯片、逻辑芯片、功率器件、HBM、MEMS、CIS 图像传感器、先进封装中段薄膜工艺，设备已导入国内多条产线。拓荆聚焦薄膜成膜，在晶圆表面生长氧化硅、氮化硅等介质薄膜，用于栅层、层间介质、钝化层、沟槽填充，支撑芯片先进制程与 3D 堆叠集成。

产品工况特点

薄膜沉积腔体属于前道超高洁净等离子工艺环境，对真空、温控、气体、颗粒控制要求极其严苛：

1. 高洁净腔体 + 等离子腐蚀环境反应腔 Class1 级洁净管控，颗粒直接造成薄膜针孔、短路良率报废；工艺过程激发等离子体，通入硅烷、氨气、TEOS 等特种腐蚀工艺气体，腔体内部内衬、陶瓷件、密封件需要耐等离子轰击、耐化学腐蚀、低析出、低掉颗粒。

2. 宽温精密温控环境PECVD、ALD、SACVD 腔体工作温度区间跨度大（室温至 550℃）；ALD 原子层沉积要求温度均匀性ji高，片内温度波动极小，保证单层薄膜厚度一致性；SACVD 高温沟槽填充，腔体加热器、静电吸盘、陶瓷载盘长期高温循环，抗热应力开裂要求高。

3. 高精度高纯流体输送多种高纯工艺气体分时、定量通入反应腔，需要质量流量计、高纯隔膜阀精准控制气体流量；流量微小漂移会直接改变薄膜组分、折射率、应力，对管路洁净度、阀门密封性、响应精度要求高。

4. 动态真空系统持续运行工艺腔需要在高真空、次常压之间快速切换；真空泵持续抽除反应副产物；腔体压力闭环控制，振动必须抑制，微小振动会影响薄膜均匀性；真空管路、波纹管、闸阀长期反复启停，防泄漏、低颗粒为硬性指标。

5. 混合键合设备精密贴合工况三维集成混合键合工位，晶圆等离子活化、超精密对准，要求载台超高平面度，真空吸附稳定，腔体洁净无污染物，避免键合界面气泡、错位，支撑 HBM、3D 芯粒堆叠。

玉崎半导体合作逻辑

拓荆作为国产半导体整机设备厂商，设备研发、组装、客户端机台维保过程，大量配套日系真空、流体、精密陶瓷零部件，玉崎半导体作为半导体设备零部件技术服务商，双方合作逻辑：

1. 真空系统配套供货供应荏原干式真空泵、真空波纹管、真空闸阀、压力规组件，适配 PECVD/ALD/HDPCVD 腔体真空抽气、压力调节，抑制振动、降低返油、控制颗粒，保障薄膜沉积腔体真空环境稳定。

2. 高纯流体元器件方案提供日系高纯隔膜阀、质量流量计、高纯管路组件，用于特种工艺气体输送，实现微量气体精准控制，减少杂质引入，保障薄膜组分均匀，满足前道介质薄膜工艺窗口。

3. 精密陶瓷耗材协同联合珂玛科技，提供静电吸盘、陶瓷内衬、陶瓷绝缘件、陶瓷导向结构件，可参与腔体零部件上机验证，推进腔体陶瓷耗材国产化替代，适配等离子、高温腐蚀工况。

4. 设备研发与维保技术协同玉崎熟悉日系真空、流体零部件工况参数，在拓荆设备新品研发阶段，协助零部件选型评估；设备交付客户端后，提供备件、失效初步分析，缩短设备调试、故障停机修复周期，为国产薄膜沉积整机供应链补齐进口关键零部件供给能力。

总结

拓荆科技是国内薄膜沉积装备国产化核心载体，PECVD/ALD 等设备腔体同时面临高温、等离子轰击、腐蚀性工艺气体、超高洁净、高精度真空与流体控制多重严苛工况，对真空系统、高纯阀组、陶瓷零部件可靠性要求ji高。玉崎半导体依托荏原真空泵、高纯流体元器件、先进陶瓷耗材产品线，为拓荆整机研发、生产及现场维保提供关键零部件供应与工况验证支持，形成国产半导体整机 + 进口精密零部件 + 国产陶瓷耗材的配套协同，共同助力国内晶圆产线薄膜工艺设备供应链自主化。