日华化学（NICCA）正式发布L‑630 水基精密晶圆清洗剂

NICCA 日华化学全新推出 L‑630 晶圆清洗剂，衬底制程全链条材料方案

近日，日华化学（NICCA）正式发布L‑630 水基精密晶圆清洗剂，依托集团多年界面化学技术积累（原大智化学半导体材料产品线），专门针对金刚线切片后、CMP 抛光后晶圆清洗场景开发，有效去除切割液残留、抛光浆料颗粒、硅粉及微量金属杂质，为硅衬底、SiC、蓝宝石等硬脆基材提供低损伤、高洁净度的清洗解决方案。

L‑630 为浓缩型水基清洗剂，采用特种非离子表面活性剂搭配螯合剂复配体系，无有机溶剂、低金属离子、低泡特性。产品具备优异的润湿渗透能力，可快速剥离附着在晶圆表面的 CL 系列切割液有机膜、PA 系列胶体二氧化硅研磨残渣；配方内置高效防再吸附技术，剥离后的微颗粒会被表面活性剂稳定包裹，避免颗粒二次回沾晶圆表面。同时螯合剂可络合游离金属离子，降低衬底表面金属污染风险。稀释后工作液接近中性，对单晶硅、氧化硅膜层、SiC、蓝宝石基材腐蚀性极低，不会造成衬底表面损伤。

产品核心优势

1. 颗粒剥离 + 防回沾双效高效去除硅微粉、胶体硅抛光残渣，抑制剥离颗粒再次吸附晶圆，显著提升衬底表面洁净度，降低表面颗粒缺陷。

2. 基材兼容性优异温和配方，对硅、碳化硅、蓝宝石、石英等多种衬底无腐蚀，兼顾槽式超声清洗与单片喷淋清洗工艺。

3. 低泡易漂洗低泡配方，不会干扰超声与喷淋产线；DIW 超纯水漂洗简单，无表面活性剂残留，不影响后续退火、外延等工序。

4. 完整配套衬底耗材体系可与 NICCA CL‑821、CL‑8830 金刚线切割液、PA880/PA890 直排式 CMP 研磨液配套使用，形成晶棒切割→CMP 抛光→精密清洗一站式材料方案。

5. 本地化技术服务国内技术团队可提供试样、浓度配比、槽液管理、清洗工艺调试等现场支持，助力衬底产线稳定量产。

L‑630 适用于光伏硅片、半导体硅衬底、第三代半导体 SiC 衬底、蓝宝石光学基材，覆盖切片后预清洗与 CMP 抛光后精清洗两大关键工序。