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| 品牌 | IHARA/伊原电子 | 应用领域 | 能源,电子/电池,电气,半导体,机械设备 |
|---|
日本进口IHARA 伊原科学HFD 金属隔膜阀
日本进口IHARA 伊原科学HFD 金属隔膜阀
HFD = High‑Flow Diaphragm,大流量 UHP 金属隔膜阀,对比 DVF/DVE 通流能力大幅提升;无死腔、金属隔膜密封;提供手动、气动常闭 NC、气动常开 NO、双作用 DA;阀体分铸造本体 HFD、锻造本体 HFD‑F;支持 BA/EP 抛光,半导体大宗气体主管路主流阀款
| 项目 | 规格参数 |
|---|---|
| 工作压力 | 真空~1 MPa |
| 工作温度 | -10℃ ~ +80℃ |
| 阀体材质 | SCS16A (CF3M)/SUS316L;HFD‑F 为锻造本体 |
| 隔膜材质 | 钴‑镍合金(Co‑Ni)金属隔膜 |
| 阀座材质 | 标准 PCTFE;可选 PVDF / PEEK / PFA |
| 氦检漏 | 外漏:1×10⁻¹¹ Pa・m³/s;内漏:3×10⁻¹⁰ Pa・m³/s |
| 内表面 | BA 光亮退火;EP 电解抛光(Ra≤0.13μm) |
| 驱动方式 | 手动手轮;气动‑NC 常闭;‑NO 常开;‑DA 双作用;带 LOTO 安全手柄选项 |
| 气动控制气源 | 0.4~0.6MPa 仪表洁净空气 |
| 接口类型 | VTF‑VM 外金属垫片、VTF‑VF 内金属垫片、TW 管嘴对焊;可选吹扫端口 IPP/OPP/IOPP |
| 寿命 | 气动≥200 万次;手动≥10 万次 |
型号编码:HFD‑规格代码‑接口后缀‑表面‑驱动后缀规格代码:8=1/2"基座;12=3/4"&1" 基座
| 完整型号示例 | 接口规格 | Cv 值 | 驱动形式 | 重量 |
|---|---|---|---|---|
| HFD‑8VM | 1/2" VTF 外螺纹 | 2.8 | 手动 | 640g |
| HFD‑8VF | 1/2" VTF 内螺纹 | 2.8 | 手动 | 640g |
| HFD‑8TW | 1/2" TW 管嘴焊接 | 2.8 | 手动 | 660g |
| HFD‑8VM‑NC | 1/2" VTF 外螺纹 | 2.8 | 气动常闭 | 830g |
| HFD‑8VF‑NC | 1/2" VTF 内螺纹 | 2.8 | 气动常闭 | 830g |
| 完整型号示例 | 接口规格 | Cv 值 | 驱动形式 | 重量 |
|---|---|---|---|---|
| HFD‑12VM | 3/4" VTF 外螺纹 | 5.0 | 手动 | 880g |
| HFD‑12VF | 3/4" VTF 内螺纹 | 5.0 | 手动 | 880g |
| HFD‑12TW | 3/4" TW 焊接 | 5.0 | 手动 | 900g |
| HFD‑16VM | 1" VTF 外螺纹 | 9.0 | 手动 | 1350g |
| HFD‑16VF | 1" VTF 内螺纹 | 9.0 | 手动 | 1350g |
| HFD‑16TW | 1" TW 管嘴焊接 | 9.0 | 手动 | 1400g |
| HFD‑12VM‑NC | 3/4" VTF 外螺纹 | 5.0 | 气动常闭 | 1100g |
| HFD‑16VM‑NC | 1" VTF 外螺纹 | 9.0 | 气动常闭 | 1500g |
后缀说明:
‑NO:气动常开;‑DA:双作用;‑F:锻造阀体(HFD‑16VM‑F‑NC),UHP 超高纯优选;
‑EP电解抛光 / ‑BA光亮退火;
IPP 入口吹扫、OPP 出口吹扫、IOPP 双向吹扫,用于阀箱 VMB 吹扫置换;
接口可异径,例 HFD‑12VFVM(8):一端 3/4"VF,一端 1/2"VM 异径接头。
HFD‑16VM‑F‑EP‑NC‑IOPPHFD:HFD 系列;16:1" 规格;VM:VTF 外螺纹;F 锻造阀体;EP 电解抛光;NC 气动常闭;IOPP 双向吹扫端口。
大流量金属隔膜结构:相比 DVF/DVE 小口径隔膜阀,Cv 大幅提高,死腔极小,气体置换性能优秀,阀位可视指示器,肉眼确认开关状态イハラサイ...。
全金属隔膜密封,无填料函,零外泄漏;适合高纯、有毒、可燃特气;隔膜为钴镍合金,抗疲劳寿命高。
可带吹扫端口,阀箱 VMB 多路阀组内部吹扫,减少残气滞留。
洁净室装配清洗,无油处理,满足半导体 UHP 超高纯大宗气体标准。
HFD‑F 锻造阀体版本:阀体无铸造气孔缺陷,用于对颗粒要求严苛制程。
半导体晶圆厂(最主要)
大宗气体总管支路阀门:N₂、Ar、O₂、H₂等 UHP 超高纯气体;
VMB 阀箱主管切断、吹扫阀,替代传统小流量 DVE/DVF 隔膜阀用于中大流量支路;
蚀刻、沉积设备辅助工艺气路,高纯气体输送切断。