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| 品牌 | TORAY/东丽 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 化工,能源,电子/电池,汽车及零部件,电气 |
压电材料技术:采用东丽自研 P (VDF-TrFE) 高分子压电薄膜,声阻抗与水高度匹配,水浸耦合时超声能量透射损耗远低于传统 PZT 陶瓷探头,无需额外声学匹配层。
无透镜极简设计:摒弃传统陶瓷探头的声学透镜结构,消除透镜内部多次反射噪声,信噪比提升;近场盲区更短,可极贴近样品检测;探头结构紧凑耐用。
宽带高分辨:脉冲宽度极短,时间分辨率可达微米级,可区分紧密相邻的微小缺陷;频率覆盖 20~150MHz,单系列覆盖从厚件穿透到超薄界面高分辨的全场景需求。
型号矩阵完整:同频率下提供多种口径、焦距组合,F型非聚焦款适配线扫成像,聚焦款适配高分辨点扫;可直接替换主流进口 SAM/SAT 系统的同规格探头。
配套兼容:标准配置 MicroDot 高频接头,可选 UHF 接头;可搭配东丽原厂脉冲接收器模块,兼容 Olympus、Karl SUSS、Sonoscan 等主流超声扫描显微镜系统。
耦合方式:必须水浸耦合,使用脱气纯水作为声学介质,探头浸入水中工作;不可直接空气耦合使用。
环境要求:室温 5~40℃,清洁水环境,无强腐蚀、无剧烈震动;水温不可超过 50℃(避免压电薄膜极化衰减)。
配套设备:需连接专用脉冲发射 / 接收器,输出信号至成像系统;支持单探头反射法、双探头穿透法检测。
禁止空气中干打:无耦合介质时触发高压脉冲,会瞬间烧毁极薄的压电薄膜晶片。
禁止接触腐蚀性液体、有机溶剂、高粉尘环境,避免污染晶片表面。
禁止硬物磕碰晶片端面,薄膜厚度仅数微米,划伤即报废。
不可用于防爆区域、强电磁干扰环境。
半导体封装检测(主力场景)
功率器件(IGBT/SiC 模块、MOSFET):检测焊层空洞、键合分层、芯片裂纹,常用 25~50MHz 款。
优良封装(BGA/QFN/CSP/ 晶圆级封装):检测塑封 - 基板分层、微空洞、微裂纹,常用 75~100MHz 高分辨款。
晶圆背面缺陷、薄芯片检测:选用 PT80/100 系列微口径短焦距款。
电子制造与新材料
多层 PCB/FPC 层间分层、覆铜板粘接缺陷:选用 20~35MHz 长焦距款。
碳纤维 / 陶瓷基复合材料层间质量、锂电电极涂层界面检测:中频款平衡穿透与分辨率。
gao端制造与科研
航空航天精密零件微小疲劳裂纹、医疗植入物涂层结合力检测。
超声声场标定、生物显微成像、微流控器件检测,可搭配东丽针型水听器使用。