中微公司：半导体前道刻蚀与薄膜沉积设备龙头

公司简介

中微半导体设备（上海）股份有限公司（AMEC，688012），2004 年创立，总部上海，2019 年科创板上市，国内半导体前道核心工艺装备龙头qi业，全球少数掌握先进制程等离子体刻蚀技术的厂商。公司专注集成电路微观加工gao端装备研发制造，核心技术覆盖等离子体刻蚀、MOCVD 金属有机化学气相沉积、薄膜沉积设备，产品应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、第三代半导体、Mini LED 等领域，刻蚀设备工艺能力可覆盖 3 纳米及更先进制程，是国内前道晶圆制造装备国产替代标gan。

公司核心业务包含等离子体刻蚀设备、MOCVD 外延设备、化学薄膜沉积设备（ALD、LPCVD、EPI 外延），配套开发晶圆边缘刻蚀设备。产品用于 12 英寸、8 英寸晶圆介质刻蚀、导体刻蚀、高深宽比刻蚀、功率器件与 GaN 基 LED 外延薄膜生长。客户覆盖国内外头部晶圆厂、存储芯片厂商、功率半导体 IDM、第三代半导体企业，刻蚀设备批量导入国内多条 12 英寸先进产线，同时实现海外一线晶圆厂供货，是集成电路前道制造环节国产替代核心主力厂商。

核心产品矩阵

• 等离子体刻蚀设备（Primo 系列）：Primo Twin-Star、Primo UD-RIE、Primo HD-RIE、Primo SSC AD-RIE，包含 CCP 电容耦合、ICP 电感耦合两大类刻蚀机型，用于介质层、导体层、硅基高深宽比沟槽 / 接触孔刻蚀，适配 8/12 英寸逻辑、DRAM、3D NAND 存储芯片制造。

• MOCVD 金属有机化学气相沉积设备（PRISMO 系列）：PRISMO A7 等机型，用于 GaN 基 LED、功率器件、射频器件外延薄膜生长，在氮化镓 LED 领域拥有全qiu领xian市场fen额。

• 薄膜沉积设备：Preforma 系列 CVD、ALD 原子层沉积、硅 / 锗硅外延 EPI 设备，面向先进逻辑、存储、功率器件薄膜制备。

• 配套工艺设备：晶圆边缘 Bevel 刻蚀机、除胶反应腔模块，wan善前道晶圆全流程微观加工能力。

客户覆盖国内外头部晶圆制造、存储、功率半导体、光电器件企业，刻蚀与 MOCVD 设备批量导入 8/12 英寸集成电路产线、第三代半导体产线，海外客户持续放量，是国内前道核心工艺装备标gan厂商。

产品工况特点

中微刻蚀、MOCVD、薄膜沉积设备部署于半导体百级洁净厂房，设备反应腔工作在等离子体、强腐蚀工艺气体、超高真空环境，对真空、气体纯度、压力、腔体密封、耐等离子腐蚀、洁净度要求ji高，工况特征如下：

1. 超高真空 + 等离子体强腐蚀连续工艺工况刻蚀腔体、MOCVD 工艺腔维持高真空，通入含氟、氯等强腐蚀性特种工艺气体，射频激发形成等离子体进行晶圆加工；产线 7×24 小时不间断量产，单腔体长时间持续等离子轰击。腔体、真空管路、密封件、真空阀门、压力流量传感器必须耐等离子腐蚀、低放气、极低泄漏率；微量漏气、杂质析出、密封件被等离子侵蚀，会直接造成刻蚀形貌偏移、薄膜缺陷、晶圆颗粒污染，导致整片晶圆报废。

2. 多区精密温控与特种高纯气体流量压力控制刻蚀与 MOCVD 工艺对腔体分区温度、多路特种气体流量、腔压波动极度敏感，多区 ESC 静电吸盘独立控温，多路 MFC 独立调控工艺气体。气体管路、调压阀、流量计性能漂移，会造成刻蚀关键尺寸 CD 偏移、薄膜厚度不均、组分异常，直接影响芯片器件电性、良率与可靠性。

3. 腔体洁净要求严苛，低析出、耐等离子侵蚀整机放置于百级洁净车间，腔体内部、气路管路、密封辅件必须选用耐等离子、抗卤素腐蚀、低出气材质；密封圈、波纹管、真空阀等零部件一旦产生析出物、微颗粒，会附着在晶圆表面，引发批量颗粒缺陷。

4. 多腔体集群自动化，对接工厂 MES 系统设备为多腔体集群平台，晶圆传输、工艺启动、等离子刻蚀 / 薄膜沉积、腔体吹扫全自动运行；支持对接产线 MES 系统，记录射频功率、腔温、气体流量、腔压等全量工艺参数，支撑良率追溯与工艺迭代，适配 12 英寸大晶圆大规模量产。

5. 多工艺、多晶圆尺寸兼容，柔性工艺适配刻蚀主机平台可灵活配置不同反应腔体模块，兼容 8/12 英寸硅晶圆；MOCVD 设备适配 6/8 英寸功率器件与 LED 外延片，单台设备可切换多套工艺配方，满足客户研发中试、工艺开发到大规模量产全阶段需求。

与玉崎半导体合作逻辑

双方合作核心逻辑：国产前道刻蚀、MOCVD 薄膜装备产业化落地 + 超高真空、特种流体、耐腐蚀密封精密零部件供应链保障，聚焦晶圆前道设备整机装配、产线现场维保两大场景形成产业链协同。

1. 供应链补链：补齐刻蚀 / MOCVD 设备gao端辅件短板中微公司自主研发刻蚀腔体、射频系统、静电吸盘、整机控制软件与机械主体；工艺腔配套的真空阀门、耐腐蚀波纹管、特种高纯气体管路、质量流量计 MFC、耐卤素密封件、真空计、压力传感器等精密元器件大量采用日系、欧美进口产品。这类零部件需耐受等离子与腐蚀性气体，半导体认证周期极长，工况严苛，国内部分品类国产化尚不成熟。玉崎半导体作为日系工业零部件华南一级代理商，可提供原装正品、稳定库存、本地化快速交付，解决前道设备整机装配、现场备件更换时进口件采购周期长、渠道分散痛点，保障设备出厂交付效率与晶圆产线售后维保响应速度。

2. 工艺场景协同：保障超高真空与特种工艺气路子系统长期稳定先进制程刻蚀、MOCVD 外延良率高度依赖超高真空系统与特种腐蚀性气体输送回路稳定性。玉崎半导体结合等离子 + 腐蚀气体严苛工况，提供耐卤素、耐等离子轰击、低放气的密封件、真空组件选型与工况验证。新建 12 英寸逻辑 / 存储产线、GaN 功率器件外延产线项目中，中微输出刻蚀 / MOCVD 主机设备，玉崎配套真空流体辅件与现场技术支持，减少终端客户多方供应商对接成本，保障腔体真空稳定性、工艺气体纯净度，降低颗粒污染、刻蚀形貌异常、薄膜缺陷风险，提升晶圆良率。

3. 区域市场协同，深耕华南功率与第三代半导体产业集群华南聚集大量功率半导体、GaN 器件、先进封装企业，是中微公司重点拓展市场。玉崎半导体扎根华南，具备本地仓储、快速现场技术服务能力。双方联动，快速响应华南客户新机导入、设备腔体维保、备件更换需求，缩短项目落地周期，共同拓展车载功率器件、储能第三代半导体外延赛道。

4. 长期产业目标，助力前道装备供应链自主可控短期：依托进口高品质真空流体辅件，保障国产刻蚀、MOCVD 薄膜装备性能稳定，加速中微设备在 12 英寸先进逻辑、存储、功率器件gao端产线验证导入；中长期：联合开展零部件等离子、腐蚀性气体工况测试验证，推动真空、密封、流体辅件国产化替代，逐步降低前道整机对外进口零部件依赖，共同服务集成电路前道核心装备国产替代战略。

结语

中微公司凭借二十余年等离子体微观加工技术积累，打造覆盖刻蚀、MOCVD、薄膜沉积的前道gao端装备平台，打破海外厂商在先进制程刻蚀设备领域长期垄断。晶圆先进制程刻蚀与外延薄膜稳定量产，高度依赖超高真空、特种流体、耐腐蚀密封等精密配套子系统。中微公司与玉崎半导体的协同，是国产前道半导体装备龙头与gao端工业零部件服务商典型的产业链互补合作，通过供应链补链、产线一体化方案交付，共同赋能国内集成电路、第三代半导体产业高质量发展。