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| 品牌 | NICCA/日华化学 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,石油,能源,电子/电池,半导体 |
配方:升级款全合成水溶性切割液,高润湿性特种界面活性剂组合,超高分散能力,低金属离子,无油无氯
外观:浅黄透明浓缩液,稀释后透明
pH(原液):弱碱性,缓冲体系更强,长时间循环 pH 波动更小
核心优势
相比 CL‑821:更强悬浮能力、耐高温、抗硬水性能更好
硬脆材料微粉(SiC、蓝宝石粉)包裹能力强,沉降极少,降低表面 TTV、线痕
润滑膜更稳定,切割阻力更低,降低崩边、 chipping,提升片厚均匀性 TTV
消泡能力更强,高流量循环不易起泡;生物稳定性更好,槽液寿命更长
对 SiC、蓝宝石粉体兼容性优秀,粉体不易团聚
定位:gao端硬脆材料专用款,碳化硅、蓝宝石、大尺寸半导体硅锭切片
基础冷却 / 润滑 / 排屑逻辑同 CL‑821;配方强化两点:
高分子分散助剂,针对高硬度材料产生的高比重微粉,防止粉体快速沉降沉积在晶棒表面造成线痕、表面麻点;
耐高温界面膜,在 SiC 等高硬度材料切割高温工况下,润滑膜不易破裂,维持稳定切削,减少断线与晶棒崩损。
稀释:DI 超纯水稀释
推荐浓度:3.0 ~5.0 wt%;SiC / 蓝宝石一般 4~5%;半导体硅锭 3~4%
配制:先加水,缓慢添加原液,充分搅拌
槽液管控:折光仪监控浓度;精密过滤(3μm);控制温度 20~26℃
注意:浓度过高会增加后续晶圆清洗负担;浓度不足会出现沉降、线痕增多
碳化硅 SiC 晶棒切片(功率半导体衬底)
蓝宝石、氧化铝陶瓷硬脆基材切片
大尺寸半导体单晶硅锭切片(8 英寸及以上硅衬底)
对 TTV、线痕、崩边要求严苛的gao端晶圆切片工艺