NICCA 日华化学（原大智化学）L‑630 晶圆清洗剂

配套 CL 系列切割液、PA 系列研磨液使用，硅片切割后、CMP 抛光后专用水基浓缩清洗剂，属于原大智化学产品线，收购后归入 NICCA 电子材料。定位：中性 / 弱碱性表面活性剂型精密清洗，主打去除切割液残留、硅粉、抛光浆料颗粒，防止颗粒回沾

NICCA日华化学L‑630 晶圆清洗剂 产品特征

1. 配方：水基浓缩液，特种非离子 + 螯合剂复配体系，无溶剂、低金属离子、低泡

2. 外观：淡黄色透明浓缩液，DIW 稀释后清澈透明

3. pH（原液）：弱碱性；稀释工作液接近中性，对硅基材、氧化层无腐蚀

4. 核心特点

• 优异润湿渗透力，剥离硅片表面附着的 CL 切割液有机膜、PA 研磨浆料残留

• 强颗粒分散、防再吸附（anti-redeposition）：剥离后的硅微粉 / 氧化硅颗粒被表面活性剂包裹，不会重新吸附回晶圆表面

• 内置金属螯合剂，捕获 Fe、Na、K 等金属杂质，降低表面金属污染

• 低泡配方，适配超声波清洗、喷淋清洗、单片旋洗，不产生泡沫干扰

• 易漂洗，DIW 冲洗后无表面活性剂残留，不影响后续退火、外延、镀膜

• 材质兼容性：单晶硅、SiC、蓝宝石、石英；不腐蚀 SiO₂氧化层

5. 定位：切割后预清洗、CMP 后颗粒清洗，前端衬底制程专用

NICCA日华化学L‑630 晶圆清洗剂工作原理

四大协同作用：

1. 润湿渗透：降低溶液表面张力，渗入晶圆与污染物界面，削弱污染物与硅片的吸附力；

2. 剥离：表面活性剂分子吸附在颗粒 / 有机膜表面，把切割液、研磨浆料、硅粉从基材表面剥离；

3. 分散包裹：剥离下来的颗粒被表面活性剂包覆，形成稳定悬浮，防止颗粒再次吸附回晶圆（防回沾，这是 L-630 最大亮点）；

4. 金属螯合：螯合剂络合游离金属离子，减少金属污染，降低漏电风险。

使用方法

1. 稀释溶剂：超纯水 DIW 稀释

2. 推荐浓度：2 ~ 5 wt%

• 硅片金刚线切割后清洗：2~3%

• CMP 抛光后清洗（PA880/PA890 抛光残留）：3~5%

3. 使用工艺（两种主流）

• 超声波槽洗：温度 40~55℃，浸泡 3~8min，配合超声；之后 DIW 溢流漂洗 + 干燥

• 单片喷淋清洗：常温～50℃，喷淋 60~120s，DIW 冲净，IPA 干燥

4. 槽液管理：折光仪监控浓度；定期过滤（0.5~1μm 滤芯）；根据浊度定期换槽

5. 注意事项

• 浓度过高：会增加漂洗负担，有表面活性剂残留风险；

• 温度过高：表面活性剂降解，清洗效果下降；

• 不可与强酸强碱混配。

运用场景（和你前面 CL/PA 形成完整工序链）

1. 金刚线切片后清洗：去除 CL‑821 / CL‑8830 切割液残留、硅微粉，去除表面有机膜（光伏硅片、半导体 Si/SiC 衬底）

2. CMP 抛光后清洗：PA880 主抛、PA890 终抛之后，去除胶体二氧化硅磨料颗粒、抛光液有机残留

3. 蓝宝石、石英光学基材研磨后的精密清洗

4. 半导体衬底，清洗后进入退火、外延、氧化等工序

适用工序链路：晶棒切割 → L‑630 清洗 → 研磨 → CMP 抛光 → L‑630 精洗 → 成品衬底