2026
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项目固定资产投资17亿元,将利用企业现有场地升级扩建生产线,引入gao端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备,重点布局4-6英寸gao端砷化镓、磷化铟单晶衬底产品。近日,总投资20亿元的gao端化合物半导体衬底生产线项目在浙江衢州完成投资备案。据悉,项目由浙江先导微电子科技有限公司投建,建设周期为2026年8月至2029年8月。据guan方备案信息显示,项目固定资产投资17亿元,将利用企业现有场地升级扩建生产线,引入gao端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心生产设备,重点布局4-6英寸ga













