2026
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镓仁半导体自主研发quan球shou创的铸造法长晶技术,可稳定生长超厚氧化镓单晶,并结合自主超薄衬底加工工艺,使单块晶体的衬底出片量提升至原来的3至4倍。杭州镓仁半导体有限公司(下称“镓仁半导体”)今年6月宣布,基于自研铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺,建成quan球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线,向头部芯片客户批量供货。氧化镓被认为是第四代半导体的重要代表材料,具有超宽禁带、高击穿电场等优势,在新能源汽车、智能电网、光伏储能、轨道交通、AI算力中心、商业航天及国防等领域拥有广阔应用前景。













